প্যাকেজিং ত্রুটির মধ্যে প্রধানত সীসা বিকৃতি, বেস অফসেট, ওয়ারপেজ, চিপ ব্রেকেজ, ডিলামিনেশন, শূন্যতা, অসম প্যাকেজিং, burrs, বিদেশী কণা এবং অসম্পূর্ণ নিরাময় ইত্যাদি অন্তর্ভুক্ত।
1. সীসা বিকৃতি
সীসা বিকৃতি সাধারণত প্লাস্টিক সিলান্টের প্রবাহের সময় সৃষ্ট সীসা স্থানচ্যুতি বা বিকৃতিকে বোঝায়, যা সাধারণত সর্বাধিক পার্শ্বীয় সীসা স্থানচ্যুতি x এবং সীসার দৈর্ঘ্য L-এর মধ্যে x/L অনুপাত দ্বারা প্রকাশ করা হয়। সীসার বাঁক বৈদ্যুতিক শর্টস হতে পারে (বিশেষত উচ্চ ঘনত্বের I/O ডিভাইস প্যাকেজে)।কখনও কখনও বাঁকানোর ফলে উত্পন্ন চাপগুলি বন্ধন বিন্দুতে ফাটল বা বন্ধনের শক্তি হ্রাস করতে পারে।
সীসা বন্ধনকে প্রভাবিত করে এমন ফ্যাক্টরগুলির মধ্যে রয়েছে প্যাকেজ ডিজাইন, সীসা লেআউট, সীসা উপাদান এবং আকার, মোল্ডিং প্লাস্টিকের বৈশিষ্ট্য, সীসা বন্ধন প্রক্রিয়া এবং প্যাকেজিং প্রক্রিয়া।সীসা নমনকে প্রভাবিত করে এমন সীসা প্যারামিটারগুলির মধ্যে রয়েছে সীসার ব্যাস, সীসার দৈর্ঘ্য, সীসা বিরতি লোড এবং সীসার ঘনত্ব ইত্যাদি।
2. বেস অফসেট
বেস অফসেট চিপকে সমর্থন করে এমন ক্যারিয়ারের (চিপ বেস) বিকৃতি এবং অফসেটকে বোঝায়।
ভিত্তি স্থানান্তরকে প্রভাবিত করে এমন উপাদানগুলির মধ্যে রয়েছে ছাঁচনির্মাণ যৌগের প্রবাহ, লিডফ্রেম সমাবেশ নকশা এবং ছাঁচনির্মাণ যৌগ এবং লিডফ্রেমের উপাদান বৈশিষ্ট্য।TSOP এবং TQFP-এর মতো প্যাকেজগুলি তাদের পাতলা লিডফ্রেমের কারণে বেস শিফট এবং পিন বিকৃতির জন্য সংবেদনশীল।
3. ওয়ারপেজ
ওয়ারপেজ হল প্যাকেজ ডিভাইসের প্লেনের বাইরে বাঁকানো এবং বিকৃতি।ছাঁচনির্মাণ প্রক্রিয়ার কারণে সৃষ্ট ওয়ারপেজ অনেকগুলি নির্ভরযোগ্যতার সমস্যার কারণ হতে পারে যেমন ডিলামিনেশন এবং চিপ ক্র্যাকিং।
ওয়ারপেজ বিভিন্ন ধরণের উত্পাদন সমস্যারও কারণ হতে পারে, যেমন প্লাস্টিকাইজড বল গ্রিড অ্যারে (পিবিজিএ) ডিভাইসে, যেখানে ওয়ারপেজ দুর্বল সোল্ডার বল কপ্ল্যানারিটির দিকে নিয়ে যেতে পারে, যার ফলে মুদ্রিত সার্কিট বোর্ডে সমাবেশের জন্য ডিভাইসের রিফ্লো করার সময় প্লেসমেন্ট সমস্যা হতে পারে।
ওয়ারপেজ প্যাটার্নে তিন ধরনের প্যাটার্ন রয়েছে: অভ্যন্তরীণ অবতল, বহির্মুখী উত্তল এবং মিলিত।অর্ধপরিবাহী সংস্থাগুলিতে, অবতলকে কখনও কখনও "স্মাইলি ফেস" এবং উত্তলকে "কান্নার মুখ" হিসাবে উল্লেখ করা হয়।ওয়ারপেজের প্রধান কারণগুলির মধ্যে রয়েছে CTE অমিল এবং নিরাময়/সংকোচন সংকোচন।পরবর্তীটি প্রথমে খুব বেশি মনোযোগ পায়নি, তবে গভীর গবেষণায় দেখা গেছে যে ছাঁচনির্মাণ যৌগের রাসায়নিক সংকোচনও IC ডিভাইসের ওয়ারপেজে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, বিশেষ করে চিপের উপরে এবং নীচে বিভিন্ন পুরুত্বের প্যাকেজে।
নিরাময় এবং পোস্ট-কিউরিং প্রক্রিয়া চলাকালীন, ছাঁচনির্মাণ যৌগটি উচ্চ নিরাময় তাপমাত্রায় রাসায়নিক সংকোচনের মধ্য দিয়ে যাবে, যাকে "থার্মোকেমিক্যাল সংকোচন" বলা হয়।নিরাময়ের সময় যে রাসায়নিক সংকোচন ঘটে তা কাচের স্থানান্তর তাপমাত্রা বৃদ্ধি করে এবং Tg এর আশেপাশে তাপীয় প্রসারণের সহগ পরিবর্তনকে হ্রাস করে হ্রাস করা যেতে পারে।
ছাঁচনির্মাণ যৌগের গঠন, ছাঁচনির্মাণ যৌগের আর্দ্রতা এবং প্যাকেজের জ্যামিতির মতো কারণগুলির কারণেও ওয়ারপেজ হতে পারে।ছাঁচনির্মাণ উপাদান এবং রচনা, প্রক্রিয়া পরামিতি, প্যাকেজ গঠন এবং প্রাক-এনক্যাপসুলেশন পরিবেশ নিয়ন্ত্রণ করে, প্যাকেজ ওয়ারপেজ কম করা যেতে পারে।কিছু ক্ষেত্রে, বৈদ্যুতিন সমাবেশের পিছনের দিকটি এনক্যাপসুলেট করে ওয়ারপেজ ক্ষতিপূরণ দেওয়া যেতে পারে।উদাহরণস্বরূপ, যদি একটি বড় সিরামিক বোর্ড বা মাল্টিলেয়ার বোর্ডের বাহ্যিক সংযোগগুলি একই দিকে থাকে, তবে সেগুলিকে পিছনের দিকে এনক্যাপসুলেট করা ওয়ারপেজ কমাতে পারে।
4. চিপ ভাঙ্গন
প্যাকেজিং প্রক্রিয়ায় উত্পন্ন স্ট্রেস চিপ ভাঙার কারণ হতে পারে।প্যাকেজিং প্রক্রিয়া সাধারণত পূর্ববর্তী সমাবেশ প্রক্রিয়ায় গঠিত মাইক্রো-ফাটলকে আরও বাড়িয়ে তোলে।ওয়েফার বা চিপ পাতলা করা, ব্যাকসাইড গ্রাইন্ডিং এবং চিপ বন্ডিং হল এমন সমস্ত পদক্ষেপ যা ফাটলগুলির অঙ্কুরিত হতে পারে।
একটি ফাটল, যান্ত্রিকভাবে ব্যর্থ চিপ অগত্যা বৈদ্যুতিক ব্যর্থতার দিকে পরিচালিত করে না।একটি চিপ ফেটে যাওয়ার ফলে ডিভাইসের তাত্ক্ষণিক বৈদ্যুতিক ব্যর্থতা হবে কিনা তাও ক্র্যাক বৃদ্ধির পথের উপর নির্ভর করে।উদাহরণস্বরূপ, যদি চিপের পিছনের দিকে ফাটল দেখা দেয় তবে এটি কোনও সংবেদনশীল কাঠামোকে প্রভাবিত করতে পারে না।
যেহেতু সিলিকন ওয়েফারগুলি পাতলা এবং ভঙ্গুর, তাই ওয়েফার-স্তরের প্যাকেজিং চিপ ফেটে যাওয়ার জন্য বেশি সংবেদনশীল।অতএব, ট্রান্সফার ছাঁচনির্মাণ প্রক্রিয়ায় ক্ল্যাম্পিং চাপ এবং ছাঁচনির্মাণ ট্রানজিশন চাপের মতো প্রক্রিয়া পরামিতিগুলি চিপ ফেটে যাওয়া রোধ করতে কঠোরভাবে নিয়ন্ত্রণ করতে হবে।3D স্ট্যাক করা প্যাকেজগুলি স্ট্যাকিং প্রক্রিয়ার কারণে চিপ ফেটে যাওয়ার প্রবণ।3D প্যাকেজগুলিতে চিপ ফেটে যাওয়াকে প্রভাবিত করে এমন ডিজাইনের কারণগুলির মধ্যে রয়েছে চিপ স্ট্যাকের গঠন, সাবস্ট্রেটের পুরুত্ব, ছাঁচের পরিমাণ এবং ছাঁচের হাতা পুরুত্ব ইত্যাদি।
পোস্টের সময়: ফেব্রুয়ারি-15-2023